На підставі двотемпературної моделі досліджено роботу In0,4Ga0,6As діодів Ганна з m-n:InP1-xAsx катодом на основній гармоніці, за температури кристалічної гратки 300 К і довжини активної області 0,5, 0,8, 1,0 мкм. Розглянуто вплив гетерокатода на виникнення нестійкостей струму в діоді. Одержано енергетичні та частотні характеристики. Для кожної довжини діода визначено оптимальний склад InP1-xAsx, а для діода з довжиною активної області 1,0 мкм і оптимальну висоту потенціального бар'єра на контакті метал - напівпровідник. Установлено, що найбільша частота генерації складає близько 250 ГГц.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Аркуша Юрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"