Побудовано узагальнену модель фотоелектромагнітного ефекту (ФМЕ) в епітаксійних шарах (ЕШ) з урахуванням як області просторового заряду (ОПЗ) поблизу вільної поверхні, так і наявності області варизонності (ОВЗ) на межі з підкладкою. Показано, що дифузійні струми неосновних надлишкових носіїв, з одного боку, та їх дрейфові струми в ОПЗ та ОВЗ - з іншого, можуть мати різний напрямок. За домінування останніх знак струму <$E J sub roman ФМЕ> може змінитися на протилежний, у результаті чого спостерігатиметься явище аномального ФМЕ. Проаналізовано залежність цього явища від частоти збуджуючого випромінювання, від величини вигину зон <$E Y sub s> і від методу освітлення (з боку вільної поверхні, чи з боку підкладки). Результати розгляду моделі добре узгоджуються з даними експерименту, одержаними на ЕШ <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x {roman Te}> (<$E x~symbol Ы~0,20>). Отже, їх можна застосовувати для визначення параметрів ЕШ.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"