В адіабатичному наближенні розглянуто стани електронів та дірок, що взаємодіють з коливаннями гратки в одновимірних напівпровідниках. Помірно сильна електрон-фононна взаємодія призводить до автолокалізації носіїв з утворенням поляронних і біполяронних станів. Одна квазічастинка автолокалізується в електронний або дірковий полярон. Дві квазічастинки внаслідок взаємодії з деформацією гратки зв'язуються в біполяронні стани, що відповідають (і) електронним або дірковим біполяронам з подвійним зарядом і нульовим спіном та (іі) нейтральним локалізованим електрон-дірковим парам у триплетному стані. Автолокалізація носіїв супроводжується самоузгодженою деформацією молекулярного ланцюжка, що спричинює появу локалізованих електронних рівнів у забороненій енергетичній зоні. Наявність цих рівнів проявляється в оптичних спектрах поглинання одновимірних напівпровідників у вигляді характерних спектральних ліній, що розташовані нижче порога міжзонних переходів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"