Досліджено закономірності радіаційно-термічних змін електричних властивостей скловидного діелектрика SiO2 в широкому інтервалі температур і доз іонізуючого випромінювання. Визначено енергії активації. Для температурної залежності об'ємної електропровідності матеріалу виявлено неактиваційний закон, параметри якого різні для області низьких і високих температур. Експериментальні результати проаналізовано в межах існуючих моделей переносу заряду.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"