Rogozin I. V. Thermodynamical analysis of intrinsic defects in gallium nitride / I. V. Rogozin // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2004. - Вып. 13. - С. 76-78. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Thermodynamic analysis in content of intrinsic defects for GaN was carried out. The causes depending the tendency of GaN to monopolar conductivity type were observed. The model for defect formation is suggested.
Шифр НБУВ: Ж67522Пошук видання у каталогах НБУВДодаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"