Досліджено електричні властивості, спектральну залежність фотопровідності, ЕПР та ІЧ-спектри поглинання в плівках a-Si0,80Ge0,20:H, а також структури сонячних елементів на основі p - i - n-переходу та типу бар'єра Шотткі Pt/a-Si0,80Ge0,20:H. Наведені результати свідчать, що плівки <$E {roman a-Si} sub 1-x {roman G} sub x : roman H> з <$E x~symbol Г~0,20> є термодинамічно стабільними та радіаційно стійкими матеріалами для виготовлення сонячних елементів. Одержано сонячні елементи з коефіцієнтом корисної дії <$E eta> = 5,9 і 4,2 % для структур p - i - n і типу бар'єра Шотткі Pt/a-Si0,80Ge0,20:H відповідно.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"