Наведено результати дослідження ізотермічної екзоелектронної емісії (ЕЕЕ), зумовленої термоактивованими та тунельними електронними релаксаціями комплементарних пар радіаційних дефектів, утворюваних іонізуючим радіаційним опроміненням, і яка відбувається в процесі опромінення лужно-галоїдних кристалів, а також відразу після його припинення, супроводжуючи релаксацію збудженої поверхні. Розраховано величини температурно-залежної та температурно-незалежної компонент струму ізотермічної ЕЕЕ та характеристичні часи їх загасання. Порівняно внески термоактивованих і тунельних рекомбінацій у результуючий струм ізотермічної ЕЕЕ та встановлено, що для часів загасання, сумірних з характеристичними, температурно-залежна компонента струму, зумовлена термоактивованими релаксаціями комплементарних пар радіаційних дефектів, є переважаючою.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"