Стуктури метал - ізолятор - напівпровідник одержано шляхом нагрівання електронним пучком та випаровування Al2О3 на InP. Поліфосфатні тонкі плівки завтовшки 100 - 150 <$E roman A back 35 up 30 {symbol Р}> використовувались для пасивування межі поділу InP - ізолятор. Спектри фотолюмінесценції реєстрували на різних стадіях процесу отримання МІН - InP-структури. Топографія фотолюмінесценції за температури оточуючого середовища дала можливість характеризувати стан поверхні на кожній технологічній стадії. Руйнування поверхні поділу внаслідок декількох відпалів не є суттєвими до температур 350 <$E symbol Р>C. Кількість радіаційних дефектів, що проявляються у спектрі фотолюмінесценції в інтервалі енергій 0,95 - 1,15 еВ і пов'язані з комплексними домішками вакансій фосфату, суттєво зменшувалася при анодному окисненні.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"