Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000144785<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Mahdjoub A. Photoluminescence characterization of Al/Al2O3/InP MIS structures passivated by anodic oxidation = Фотолюмінесцентні характеристики МІН-структур Al/Al2O3/InP, пасивованих анодним окисненням / A. Mahdjoub, H. Bourdoucen, A. Djelloul // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 7. - С. 701-705. - Библиогр.: 17 назв. - англ.Стуктури метал - ізолятор - напівпровідник одержано шляхом нагрівання електронним пучком та випаровування Al2О3 на InP. Поліфосфатні тонкі плівки завтовшки 100 - 150 <$E roman A back 35 up 30 {symbol Р}> використовувались для пасивування межі поділу InP - ізолятор. Спектри фотолюмінесценції реєстрували на різних стадіях процесу отримання МІН - InP-структури. Топографія фотолюмінесценції за температури оточуючого середовища дала можливість характеризувати стан поверхні на кожній технологічній стадії. Руйнування поверхні поділу внаслідок декількох відпалів не є суттєвими до температур 350 <$E symbol Р>C. Кількість радіаційних дефектів, що проявляються у спектрі фотолюмінесценції в інтервалі енергій 0,95 - 1,15 еВ і пов'язані з комплексними домішками вакансій фосфату, суттєво зменшувалася при анодному окисненні. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|