Епітаксійні гетероструктури кадмій - ртуть - телур (КРТ), вирощені за допомогою методів молекулярно-променевої епітаксії (МПЕ) та рідкофазної епітаксії (РФЕ), досліджено з використанням методу наноіндентування для виявлення можливих фазових переходів в околі гетеромежі. Криві навантаження - зміщення під час наноіндентування гетероструктур на основі КРТ, вирощених за допомогою методу МПЕ на підкладках GaAs з буферним шаром ZnTe/CdTe, показали характерну "ліктеподібну" поведінку ділянок кривих за відсутності навантаження. У гетероструктурах КРТ, вирощених за допомогою методу РФЕ на підкладках ZnCdTe, чіткіше виражений згин на аналогічних кривих і навіть спостерігається розрив залежностей, який в обох випадках (МПЕ та РФЕ), ймовірно, пов'язаний зі структурними фазовими переходами в околі гетеромежі.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"