Запропоновано теоретичний розгляд і комп'ютерне моделювання процесів запису інформації та селективного травлення в халькогенідних напівпровідниках. Змодульовано процес одержання інформаційних пітів необхідної форми та розміру у неорганічному резисті, використовуючи сфокусований гаусівський лазерний пучок і селективне травлення. Показано, що переріз фототрансформованої області змінюється від майже трапецієвидного до параболічного залежно від коефіцієнта оптичного поглинання, потужності лазерного пучка, експозиції, селективності травника та часу травлення. Просторовий розподіл долі фототрансформованого матеріалу розраховано з рівняння Колмогорова - Аврами. Проаналізовано одержані результати та виведено досить простий наближений аналітичний вираз для залежності ширини та висоти фототрансформованої області від потужності лазерного пучка, його радіуса, часу експонування та селективності травника. Одержані результати добре описують характеристики пітів, записаних у тонких шарах халькогеніду As40S60. Модель відкриває реальну можливість добору умов запису та травлення резисту, необхідних для одержання пітів з оптимальними розмірами.

• Морозовська Ганна Миколаївна (1977–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"