![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000144914<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Vikulin I. M. MIS-phototransistor with p - n- ... -p - n-structure as a gate = МДН-фототранзистор з p - n- ... -p - n-структурою в якості затвору / I. M. Vikulin, Sh. D. Kurmashev, V. A. Mingalev, Yu. G. Tumanov // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2005. - № 2. - С. 4-7. - Библиогр.: 5 назв. - англ.Розглянуто фізичні механізми дії польового МДН-фототранзистора з p - n- ... -p - n-структурою як затвора. Виникаюча під час освітлення затвора фотонапруга управляє струмом у каналі транзистора. Фоточутливість такого приладу є набагато вищою, ніж у фотоприймача з однорідною структурою затвора. Використання як затвора напівпровідникової p - n- ... -p - n-структури з більшою шириною забороненої зони, ніж матеріалу каналу, розширює спектральний діапазон чутливості в УФ-області. Ключ. слова: field-effect transistor, MIS-structure, phototransistor, p - n-junction Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|