Mechanisms and consequences for laser annealing of semiconductor layer compositions after ion implantation are investigated. Such method of annealing heals point defects of crystal lattice and results in uniform distribution of impurity in it. It is recommended as more prospective in comparison with the other known methods of annealing.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"