За допомогою методів ІЧ-спектроскопії, спектральної еліпсометрії та комп'ютерного моделювання вивчено структурні особливості надтонких (10 - 15 нм) шарів SiO2, одержаних за допомогою окиснення за умови температури 850 <$E symbol Р>C як стандартних кремнієвих підкладок, так і підкладок, оброблених у водневій плазмі. Аналіз ІЧ-спектрів показав, що структура стандартних шарів SiO2, у порівнянні з вирощеними на гідрогенізованому кремнії, характеризується наявністю молекулярних комплексів SiO2Si2 і відносно великим вмістом напружених чотиричленних кілець тетраедрів SiO4. Це свідчить про більш упорядковану та менш напружену гратку SiO2, а також про поліпшення межі поділу Si - SiO2 для оксидних плівок на кремнії, попередньо очищеному у водневій плазмі. Такі висновки добре узгоджуються з даними спектральної еліпсометрії, які говорять про якісніше окиснення кремнію для оксидів, вирощених на гідрогенізованому кремнії.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"