Досліджено тонкі плівки SiOx (<$E x~symbol Ы~1,3>), одержані термічним вакуумним випаровуванням монооксиду кремнію. Використовуючи ІЧ-спектроскопію з аналізом форми смуги поглинання на зв'язках Si - О, досліджено термостимульовану (температури відпалу 700 та 1 000 <$E symbol Р>C) структурну трансформацію фази Si - О у шарах SiOx, яка призводить до утворення аморфних або кристалічних кремнієвих нановключень. Показано, що термічна обробка веде до розпаду молекулярних комплексів слабкоокисненого кремнію та формування як кластерів кремнію, так і молекулярних кластерів, що містять сильноокиснений кремній. Перетворення оксидної фази відбувається майже повністю вже у перші 5 хв термічної обробки. Плівки, відпалені за 700 <$E symbol Р>C, в основному містять аморфні кремнієві нановключення, вбудовані у гомогенну матрицю SiO1,75 (об'ємна частка аморфної фази Si становить близько 17 %). Плівки, відпалені за 1 000 <$E symbol Р>C, можна представити як кремнієві нанокристали (об'ємна їх частка становить близько 20 %), оточені тонкими проміжними шарами SiOx та вбудовані в SiO2.

• Індутний Іван Захарович (1949–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"