Досліджено процеси утворення та відпалу радіаційних дефектів (РД) у n-Si з домішками свинцю та вуглецю. Встановлено, що під час опромінення зразків електронами з енергією 1 МеВ ефективність введення основних РД - комплексів вакансія - кисень (VO) - у зразках із свинцем на 30 % є меншою, ніж у контрольних. Показано також, що свинець переводить значну частину атомів вуглецю в оптично неактивний стан, тим самим виключаючи їх із процесу утворення вуглецевих РД CiCs. Установлено, що за умови загальної концентрації порядку <$E 10 sup 18~roman см sup -3>, яку визначено за допомогою вторинної іонної масспектрометрії, концентрація дисперсних атомів свинцю в даних кристалах не перевищує <$E 10 sup 17~roman см sup -3>.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж68

Рубрики:

Обробка окремих матеріалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"