На прикладі кристала GaSe розглянуто екситонні стани у шаруватому напівпровіднику, електронний та дірковий спектри якого описуються законами дисперсії Фіваза. Показано, що задача розрахунку спектра екситонів Ваньє - Мотта у такому кристалі зводиться до розв'язання диференціального рівняння, яке містить операторні ланцюгові дроби. Одержано вираз для закону дисперсії екситонів, за допомогою якого розраховано дійсну та уявну частини масового оператора, що описує екситон-фононну взаємодію.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"