За допомогою методів оберненого резерфордівського розсіяння, рентгенодифракційного аналізу, мас-спектрометрії вторинних іонів, атомно-силової мікроскопії, а також вимірювання поверхневого опору вивчено роль складу в питомому опорі, мікроструктурі та термічній стабільності розпилених Ta - Si - N плівок. Бінарні Ta - Si та потрійні Ta - Si - N тонкі плівки осаджені реактивним високочастотним магнетронним розпиленням мішені Ta5Si3 в N2/Ar газовій суміші. Чисті Ta - Si плівки мали нанокристалічну структуру. Додавання азоту призводить до зменшення розмірів зерен до аморфізації плівок з високою термічною стабільністю. В той час як Ta67Si33 починає кристалізуватись нижче від 700 <$E symbol Р>C, кристалізація найбільш стійких шарів Ta34Si25N41 відбувається вище від 900 <$E symbol Р>C. Плівки, що містять більше 40 % ат. азоту, запобігають металургійній взаємодії між шаром металу та GaAs, а також утворюють виключно хороші дифузійні бар'єри в результаті відпалу за температури, вищої від 800 <$E symbol Р>C.

• Кучук Андріан Володимирович (1979–) (фізико-математичні науки)
• Мачулін Володимир Федорович (1950–2014) (фізико-математичні науки)
• Корчовий Андрій Адамович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"