Kuchuk A. V. Effect of nitrogen in Та - Si - N thin films on properties and diffusion barrier performances = Влияние азота в тонких пленках Ta - Si - N на свойства и эффективность диффузионных барьеров / A. V. Kuchuk, V. P. Kladko, V. F. Machulin, O. S. Lytvyn, A. A. Korchovyi, A. Piotrowska, R. A. Minikayev, R. Jakiela // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - 27, № 5. - С. 625-634. - Библиогр.: 19 назв. - англ.За допомогою методів оберненого резерфордівського розсіяння, рентгенодифракційного аналізу, мас-спектрометрії вторинних іонів, атомно-силової мікроскопії, а також вимірювання поверхневого опору вивчено роль складу в питомому опорі, мікроструктурі та термічній стабільності розпилених Ta - Si - N плівок. Бінарні Ta - Si та потрійні Ta - Si - N тонкі плівки осаджені реактивним високочастотним магнетронним розпиленням мішені Ta5Si3 в N2/Ar газовій суміші. Чисті Ta - Si плівки мали нанокристалічну структуру. Додавання азоту призводить до зменшення розмірів зерен до аморфізації плівок з високою термічною стабільністю. В той час як Ta67Si33 починає кристалізуватись нижче від 700 <$E symbol Р>C, кристалізація найбільш стійких шарів Ta34Si25N41 відбувається вище від 900 <$E symbol Р>C. Плівки, що містять більше 40 % ат. азоту, запобігають металургійній взаємодії між шаром металу та GaAs, а також утворюють виключно хороші дифузійні бар'єри в результаті відпалу за температури, вищої від 800 <$E symbol Р>C. Ключ. слова: thin films, magnetron sputtering, microstructure, metallurgical interaction Індекс рубрикатора НБУВ: К202.6 + В372.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|