Показано, що утворення полімерів на основі вуглецевого галогену, не домінує на поверхні у разі травлення кремнію в плазмі CF2Cl2. Плівки <$E {roman A-Si} sub x {roman C} sub 1-x : roman H:F>, сформовані на поверхні кремнію, оброблено в плазмі СF4 + H2. Концентрація домішок і переважаючі зв'язки залежать від умов опромінення та його тривалості. Концентрація вільних зв'язків у структурі зростає із збільшенням потужності опромінення. Еліпсометричні вимірювання опромінених структур показали, що у ході аналізу можна використовувати 4-шарову модель.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"