Теоретично досліджено мікроскопічні механізми впливу комплексів точкових дефектів і домішок на атомні перебудови за умов насичення кристала кремнію дефектами. Для цього було розроблено модель, яка описує кристал кремнію з концентрацією дефектів, не меншою ніж <$E 10 sup 21~ roman см sup -3>. Електронну будову й енергетичні характеристики модельного кристала розраховували з застосуванням теорії функціонала електронної густини та псевдопотенціалу з перших принципів. Одержано карти розподілу електронної густини та потенціальні рельєфи для зміщення атомів домішок (бору та фосфору). Показано, що за критичної концентрації PS та BS виникають комплекси (PS)2 та (BS)2, які безактиваційно переходять у комплекси PiV2Pi та BiV2Bi і відіграють роль генераторів дивакансій.

• Балабай Руслана Михайлівна (фізико-математичні науки)
• Моісеєнко Наталя Володимирівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"