Проанализированы электрофизические свойства границ раздела кремниевой подложки (p-Si) с пленками пористого кремния (ПК), получаемого методами химического и электрохимического травления p-Si, а также с пленками нанокристаллического кремния (НК), нанесенными на p-Si-подложку методом лазерной абляции при прямом и обратном потоках частиц на подложку из эрозионного факела. На структурах ПК/p-Si и HК/p-Si, изготовленных в различных условиях, определены граничный потенциал фл подложки p-Si и его изменение при понижении температуры от 300 до 100 К, плотность граничных электронных состояний (ГЭС) и концентрация ловушек для неравновесных электронов на p-Si-подложке, а также температуры начала перестройки системы ГЭС и начала проявления эффекта фотопамяти <$E phi sub s>. В ряде случаев исследовано влияние на свойства границы раздела структур старения, отжигов и легирования их металлами.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + З843.312-06 + В379.271.5

Рубрики:

Одержання плівок

Кремній та його сполуки

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"