Стахіра П. Й. Технологічні особливості формування сенсорів ультрафіолетового випромінювання на основі гетероструктури GaSe - GaN / П. Й. Стахіра, З. А. Шандра, В. В. Черпак // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2005. - № 3. - С. 82-86. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Запропоновано метод іонного розпилювання GaAs в аміачній атмосфері, що відбувається в схрещених електричному та магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур на підкладці GaSe, з метою створення сенсорів ультрафіолетового випромінювання. Проведено оптимізацію лінійних розмірів реактора з метою одержання однорідних плівок нітриду галію. Результати рентгенофазового аналізу гетероструктури GaSe - GaN вказують на присутність полікристалічної плівки гексагонального нітриду галію на поверхні зразків. Зокрема, на дифрактограмах присутня лінія (110), що відповідає гексагональному GaN. Вивчено катодолюмінесцентні властивості гетероструктури GaSe - GaN. Ключ. слова: гетероструктура, GaSe, GaN, рентгенофазовий аналіз, катодолюмінісценція Індекс рубрикатора НБУВ: З264.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|