Уперше розроблено та проаналізовано схемотехніку, структуру та технологію формування структур комбінованих вихідних високовольтних каскадів цифрових ВІС, які включають біполярні, К-МОН, n-, p-МОН, Д-МОН польові транзистори та польові транзистори з p - n-переходом для збільшення швидкодії, завадозахищеності та зменшення енергоспоживання з регулювальним лінійним навантаженням.

Ключ. слова: схемотехніка, польовий транзистор, топологія, високовольтний вихід, суміщена структура, багатозарядна імплантація, швидкодія, кремнієва епітаксійна структура
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Новосядлий Степан Петрович (технічні науки)
• Запухляк Руслан Ігорович (фізико-математичні науки)
• Мельник Павло Іванович (ветеринарні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"