Розглянуто застосування методу дифракції електронів низької енергії (у діапазоні від 10 до 500 еВ) для дослідження кристалографії, структури та ступеня дефектності приповерхневих шарів. Обговорено сучасні можливості даного методу та перспективи його розвитку, що виникають у процесі зіставлення експериментальних та розрахункових енергетичних або просторових профілів інтенсивності структурних дифракційних рефлексів. Проаналізовано особливості кінематичного та динамічного описання процесів електронної дифракції на ідеальних та дефектних поверхневих структурах. Особливу увагу приділено вивченню процесів генерації та відпалу статичних дефектів, які створюються іонним бомбардуванням у приповерхневій області.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"