Свечников В. Л. Поворотная релаксация при росте тонких плёнок ВТСП / В. Л. Свечников, В. М. Пан // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - 27, № 4. - С. 499-510. - Библиогр.: 26 назв. - рус.Досліджено та обговорено шляхи формування дислокаційної наноструктури в епітаксійних плівках високотемпературного надпровідника <$E roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {7 - delta }>(YBCO). Проведено розрахунок залежності енергії системи "плівка - інтерфейс - підкладинка" від кута повороту "острівця" плівки, що росте, по відношенню до головних осей підкладки. Показано, що перехід плівки від початкового пружнодеформованого (псевдоморфного) стану в релаксований обумовлений виникненням мінімуму енергії системи в області малих кутів повороту. Аналіз залежності інтерфейсної енергії від параметра незбігу дає підстави вважати, що за релаксації пружнодеформованого стану плівки енергетично вигідним є поворот нанооб'ємів з утворенням сітки інтерфейсних дислокацій на межах кручення й дислокацій незбігу на межах нахилу. Одержано й проаналізовано дані електронної мікроскопії на просвічування й електронної дифракції на відбиття, які свідчать про формування та еволюцію субзеренної дислокаційної наноструктури в плівках YBCO. Ключ. слова: пленки высокотемпературных сверхпроводников, эпитаксиальный рост, подложка, несовпадение решеток, энергия интерфейса, дислокации, поворотная релаксация, полигонизация Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|