Копил О. І. Поведінка домішок III групи в кристалах твердих розчинів на основі телуридів IV та II груп / О. І. Копил, І. І. Павлович, П. І. Фейчук, Л. П. Щербак // Термоелектрика. - 2004. - № 3. - С. 45-51. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Представлено результати досліджень впливу легування галієм на властивості монокристалів сполук <$E roman {A sup 4 B sup 6}> і <$E roman {A sup 2 B sup 6}> під час вирощування з парової фази. Встановлено, що основною причиною поведінки концентрації носіїв струму близької до власної, залежно від температури, є молекулярне впровадження домішки у вигляді <$E roman {Ga sub 2 Te sub 3}>. Необхідною умовою є розчинність Ga в кількості двох атомів Ga на одну вакансію металу в металічній підгратці, а також надлишок Te. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|