Власенко О. І. Особливості початкових стадій росту варізонних епітаксійних шарів CdHgTe на CdTe / О. І. Власенко, З. К. Власенко, І. В. Курило, І. Є. Лопатинський, І. О. Рудий, О. В. Ляшенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2004. - Вып. 39. - С. 51-56. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Методами трансмісійної, растрової електронної мікроскопії, дифракції електронів високих енергій на відбиття досліджено початкові стадії росту парофазних епітаксійних шарів CdHgTe на підкладках CdTe. Показано, що на стадії входження в робочий режим температур відбувається утворення метастабільної фази Cd - Hg, яка з підвищенням температури швидко зникає і надалі залежно від орієнтації підкладки формуються дво- або тривимірні зародки CdHgTe. Розміри останніх збільшуються з наступним зрощуванням та утворенням суцільного монокристалічного шару. На початковій стадії епітаксійного процесу виникає перехідний шар, товщина і структурні властивості якого визначаються станом поверхні й орієнтацією підкладки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|