Остафійчук Б. К. Особливості елементного складу поверхні монокристалів In4Se3, підданих лазерній обробці / Б. К. Остафійчук, І. М. Будзуляк, І. М. Гасюк, І. А. Косско // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 1. - С. 81-84. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.За допомогою методу Оже-електронної спектроскопії досліджено елементний склад поверхні монокристалів In4Se3 залежно від величини струму зондуючого електронного пучка та густини енергії імпульсного лазерного опромінення. Встановлено оптимальні режими роботи Оже-мікрозонда, за яких одержано реальні дані про елементний склад поверхні зразків In4Se3 без її пошкодження (струм зонда 0,3 - 0,4 мкА, діаметр зонда 200 мкм, прискорювальна напруга 10 кВ, збільшення не більше <$E times 70>). Показано, що за густини енергії лазерного випромінювання у діапазоні 2 - 6 Дж/<$E roman см sup 2> проходить десорбція атомів кисню та вуглецю із поверхні зразків In4Se3, а за умови густини енергії випромінювання 8 - 10 Дж/<$E roman см sup 2> така десорбція здійснюється і з неопроміненої частини зразка на межі з опроміненою ділянкою. Ключ. слова: поверхня, лазерна обробка, In_4Se_3 Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|