Проведено узагальнення задачі динамічної рентгенівської дифракції в подвійній гетероструктурі з перехідним шаром з урахуванням зміни електронної густини. Показано, що точне вирішення задачі може бути одержане за введення узагальненого параметра когерентності. Одержано вираз для коефіцієнта відбиття, з якого випливає, що у випадку центросиметричного кристала вплив модуляції електронної щільності відбивається тільки на плівці. Розглянуто поодинокий випадок різкого градієнта деформації в перехідній області. Оцінено можливість визначення параметрів перехідного шару за рентгенодифракційними даними.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"