Сукач А. В. Особенности изготовления диффузионных InAs p - n-переходов и исследование их фотоэлектрических свойств / А. В. Сукач, Г. С. Олейник, В. В. Тетеркин, А. Т. Ворощенко, В. И. Лукьяненко, Т. П. Нужная // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2004. - Вып. 39. - С. 162-171. - Библиогр.: 27 назв. - рус.Методом кратковременной диффузии кадмия в n-InAs изготовлены неохлаждаемые фотодиоды с областью спектральной чувствительности 1,0 - 3,7 мкм и ампер-ваттной чувствительностью 0,6 А/Вт при <$E lambda sub roman max ~=~3,45> мкм. Экспериментально и теоретически исследованы их электрические характеристики, на основании которых обнаружено формирование компенсированной области на границе p - n-переходов. Показано, что в интервале температур T = 200 - 295 K темновой ток фотодиодов определяется диффузионным механизмом переноса заряда. Выполнен расчет спектральных характеристик фотодиодов и получено удовлетворительное согласование с экспериментальными результатами. Используя методику определения рекомбинационных параметров по спектральному распределению фоточувствительности p - n-переходов, проведена оценка диффузионной длины неосновных носителей, скорости поверхностной рекомбинации и эффективного времени жизни носителей. Рассчитаны параметры p - n-перехода, позволяющие улучшить спектральную характеристику и ампер-ваттную чувствительность фотодиодов, предназначенных для использования в оптоэлектронных сенсорах метана. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|