Двуреченский А. В. Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, О. П. Пчеляков, С. А. Тийс, А. И. Якимов // Физика низ. температур. - 2004. - 30, № 11. - С. 1169-1179. - Библиогр.: 37 назв. - рус.Досліджено процеси одержання та визначення електричних та оптичних характеристик масивів наноострівців Ge у Si (штучних "атомів") з дискретним енергетичним спектром, що виявляється аж до кімнатної температури. Стисло проаналізовано сучасний стан представлень про механізми початкової стадії самоформування й упорядкування ансамблів нанокластерів в разі гетероепітаксії Ge на Si. Основними факторами, що визначають спектр станів, служать розмірне квантування та кулонівська взаємодія носіїв. Показано, що новим фактором, що виникає в масиві квантових точок (КТ) і відрізняє його від ситуації одиночної КТ, є кулонівські кореляції між острівцями. Визначено швидкості випущення, перетину захоплення дірок залежно від глибини залягання енергетичних рівнів. Величини перетинів на кілька порядків перевищують відомі значення в Si. Електронний транспорт уздовж шарів КТ здійснюється за допомогою стрибкової провідності, величина якої осцилює у випадку зміни ступеня заповнення острівців дірками, що може лягти в основу створення електронних ланцюгів передачі інформації на КТ. Показано можливість створення фотодетектора з Ge квантовими точками, що перебудовується під ближній і середній ІЧ діапазон. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В371.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|