За допомогою методів спектроскопії комбінаційного розсіяння світла й атомної силової мікроскопії досліджено самоорганізовані SiGe-наноострівці, сформовані в процесі молекулярно-променевої епітаксії Ge на кремнієву підкладку. Встановлено, що зарощування сформованих острівців шаром кремнію призводить до збільшення в них вмісту Si та величини пружної деформації. Показано, що варіювання швидкості осадження Ge в межах від 0,12 до 0,5 <$E roman A back 55 up 35 symbol Р "/" roman c> не змінює компонентний склад і механічні напруження в острівцях. Цей факт пояснено тим, що на компонентний склад і величини напружень в острівцях переважаючий вплив має інтердифузія, зумовлена, в першу чергу, неоднорідними напруженнями в острівцях і в підкладці навколо них.

• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Джаган Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)
• Джаган Володимир Михайлович (фізико-математичні науки)
• Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)
• Новіков Олексій Валентинович (філологічні науки)
• Новіков Олег Володимирович (1989–) (юридичні науки)
• Юхимчук Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"