С помощью первопринципного метода FP-LMTO исследовано основное состояние MnAs с гексагональной (<$E B8 sub 1>) и искаженной ромбической (B31) кристаллической структурой. Показано, что в этом соединении при изменении объема решетки происходит непрерывный переход от высоко- к низкоспиновому состоянию. Исходя из результатов расчета полной энергии исследуемой системы как функции параметров структурных искажений, установлено, что высокоспиновое состояние подавляет структурные искажения, а низкоспиновое - наоборот, усиливает их. Предположено, что качественная интерпретация механизма магнитоструктурных переходов в MnAs должна исходить из представления о главенствующей роли степени заполнения "антисвязующих" состояний коллективизированных носителей магнетизма.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"