Методом модуляційної спектроскопії електровідбивання досліджено зразки поруватого кремнію, одержані за різної густини струму електрохімічного травлення. Показано, що збільшення густини струму травлення призводить до зростання об'єму оксидної матриці на поверхні зразка, що зумовлює зміну потенціального бар'єра на межі поділу кристалічна підкладинка - поруватий шар кремнію. Побудовано модель зміни приповерхневої провідності кристалічної підкладинки кремнію залежно від об'єму окисної матриці на поверхні. Визначено умови одержання оптимальних електронних параметрів межі поділу.

• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)
• Голіней Роман Юрійович (фізико-математичні науки)
• Матвеєва Людмила Олександрівна (1939–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"