Показано можливості використання модуляційної спектроскопії електровідбиття для дослідження електронних параметрів поверхні напівпровідників і структур на їх основі, а також меж поділу фаз електроліт - напівпровідник, метал - напівпровідник. З використанням поляризаційної (тензорної) анізотропії електрооптичного ефекту розділено внески поверхні й об'єму в сигнал електровідбиття. Дію методики відокремлення продемонстровано на прикладі спектрів електровідбиття германію з власною провідністю i-Ge(110), одержаних на переходах <$E E sub 1>, <$E E sub 1~+~DELTA sub 1> (у спектральному діапазоні 1,9 - 2,5 еВ) за умови напрямків вектора поляризації світла e || [001] і <$E bold roman e~||~[1 1 Bar 0]> і за температури T = 300 K. Виявлено, що енергетична діаграма травленої поверхні i-Ge містить екстремум. Появу такого екстремуму пояснено нульовим значенням хвильової функції електронів на поверхні і (чи) дією сил дзеркального відображення.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Власенко Олександр Іванович (фізико-математичні науки)
• Генцарь Петро Олексійович (фізико-математичні науки)
• Демчина Любомир Андрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"