Пацковський С. В. Дослідження напівпровідникових структур для розробки pH-чутливих польових транзисторів / С. В. Пацковський, О. В. Фролов, О. А. Шульга, О. П. Солдаткін, С. В. Дзядевич // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2005. - № 3. - С. 66-73. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Досліджено pH-чутливість, стабільність і дрейф напівпровідникових структур з різною кількістю та типом поверхневого діелектрика й оптимізовано їх параметри для створення pH-чутливих польових транзисторів. Кращі результати отримано для двошарового діелектрика, що складається з SiO2 і Si3N4, який і запропоновано для розробки pH-чутливих польових транзисторів. Кращі характеристики демонстрували перетворювачі, виготовлені в НДІ "Мікроприлад" (Київ, Україна). Ключ. слова: pH-чутливі польові транзистори, біосенсори, напівпровідникові структури, діелектрик Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|