Исследовано влияние химической обработки поверхности (110) CdTe на высоту потенциального барьера структур Au/p-CdTe. Контактный металл нанесен химическим методом при комнатной температуре. Показано, что обработка поверхности кислотными травителями приводит к формированию обогащенной теллуром переходной области толщиной <$E d~symbol Г~60> нм. Высота потенциального барьера структур изменяется в пределах <$E phi sub B ~=~0,06~-~0,8> эВ и коррелирует с изменением степени нестехиометричности <$E N sub roman Te "/" N sub roman Cd>, причем меньшим значениям <$E phi sub B> соответствует меньшая степень нестехиометричности. Обсуждены наиболее вероятные механизмы стабилизации уровня Ферми в переходном слое: собственными точечными дефектами и их комплексами, крупномасштабным флуктуирующим потенциалом, обусловленным формированием сильнолегированной, сильнокомпенсированной подконтактной переходной области. Обнаружено, что изготовленные структуры Au/p-CdTe являются нестабильными и деградируют при комнатной температуре. Термообработка структур, а также их хранение в лабораторных условиях в течение года приводит к образованию на границе раздела металл - полупроводник новых химических соединений.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32-06 + З852.2

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"