Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000155237<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Марковский Е. П. Влияние режимов термообработки на удельное сопротивление омического контакта к монокристаллам GaAs p-типа / Е. П. Марковский // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2005. - 48, № 7-8, [ч. 1]. - С. 63-68. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Исследовано значение удельного контактного сопротивления омических контактов к сильнолегированному полупроводнику (<$E 2~cdot~10 sup 18~roman см sup -3>) GaAs p-типа, с многослойной структурой контакта - Au/TiBx/Ti. Результаты измерений показывают, что данная омическая система конкурентоспособна и имеет свои преимущества перед другими подобными омическими структурами. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.39
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|