РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000155327<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Аркуша Ю. В. Влияние металлического контакта к запорному <$E bold {{roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman {As~-~GaAs}}>-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. - 2004. - 9, № 3. - С. 331-336. - Библиогр.: 9 назв. - рус. Розраховано частотну залежність ефективності генерації <$E m~-~n : {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x {roman As}~-~n : roman GaAs~-~n sup + : roman GaAs>-діодів Ганна з довжиною активної області 2,5 мкм. Встановлено оптимальні значення довжини <$E n : {roman In} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As>-катода, концентрації іонізованих домішок у ньому та висоти потенціального бар'єра на металевому контакті, за яких ефективність генерації є максимальною. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж15835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського