Досліджено вплив in situ ультразвукового опромінення зразків під час імплантації іонів <$E roman Si sup +> та <$E roman N sup +> на формування Si-нанокластерів в шарах SiO2. Для аналізу синтезованих структур використано методи фотолюмінесценції та мас-спектрометрії вторинних іонів. Спостережено зсув максимуму фотолюмінесцентного випромінення в область коротких довжин хвиль та підвищення його інтенсивності в зразках, імплантованих під дією ультразвукової обробки. Цей ефект є обумовленим формуванням під дією УЗ вакансійних кластерів в області імплантації іонів, які впливають на кінетику кластеризації кремнію. Формування оксинітридної фази на межі поділу Si-нанокристал - SiO2 після додаткової імплантації іонів азоту призводить до підвищення інтенсивності та зсуву максимуму смуги фотолюмінесцентного випромінення у короткохвильову область.

Ключ. слова: ультразвукове опромінення, фотолюмінесценція, мас-спектрометрія, нанокристал, SiO_2
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"