Досліджено температурні залежності діелектричних параметрів халькогенідних стекол на основі сульфойодиду сурми. Показано, що аномалії на залежності <$E epsilon> і <$E tg delta> пов'язані з переходом стекол у полярний стан і наступною їх кристалізацією. Кристалізація стекол супроводжується різким зростанням діелектричних параметрів, обумовленим утворенням у склоподібній матриці кристалічних включень, наділених сегнетоелектричними властивостями. Розміри кристалічних включень і величина діелектричної проникності залежать від умов термообробки.

• Рубіш Василь Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"