Березовец В. А. Вертикальный транспорт в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb/p-InAs / В. А. Березовец, К. Д. Моисеев, В. И. Нижанковский, М. П. Михайлова, Р. В. Парфеньев, Ю. П. Яковлев // Физика низ. температур. - 2007. - 33, № 2-3. - С. 194-206. - Библиогр.: 20 назв. - рус.Отмечено, что в разъединенном гетеропереходе II типа P(N)-GaInAsSb/p-InAs с резкой планарной границей раздела (переходной слой порядка 1,2 нм) формирование самосогласованных квантовых ям для электронов и дырок контролируется перекрытием энергетических зон на гетерогранице при изменении типа и уровня легирования контактирующих полупроводников. При исследовании вертикального магнитотранспорта через разъединенную гетерограницу II типа GaInAsSb/p-InAs показано, что увеличение локализации двумерных электронов в электронном канале на границе раздела приводит к образованию "мягкой" кулоновской щели в туннельной плотности состояний. В магнитных полях до 15 Тл при гелиевых температурах обнаружен переход от состояния с "мягкой" кулоновской щелью в диэлектрическое состояние при условии расположения уровня Ферми для двумерных электронов в интервале между наинизшими уровнями Ландау для плато <$E nu~=~2> на зависимости <$E rho sub xy>. При увеличении внешнего смещения на гетеропереходе пороговый выход из диэлектрического состояния связан с одноэлектронным туннелированием между отдельными замкнутыми областями из делокализованных электронных состояний уровня Ландау, ближайшего к уровню Ферми. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|