Коваль І. П. Взаємодія молекулярного кисню з поверхнею Si(001), покритою стибієм / І. П. Коваль, Ю. А. Лень, М. Г. Находкін // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2005. - 3, вип. 4. - С. 941-947. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.За допомогою методів електронної Оже- та іонізаційної спектроскопії експериментально досліджено хімічний склад оксидів, що утворюються на поверхні Si(001) з передадсорбованими субмоношаровими покриттями стибію при експозиціях до <$E 10 sup 8> Л (Ленгмюр) у молекулярному кисні. Вперше показано, що, на відміну від бісмуту в системі Bi/Si(001), який залишається у неокисненому стані на поверхні шару SiO2, утвореного на поверхні Si(001) після експозиції в кисні, стибій в системі Sb/Si(001) утворює оксиди стибію одночасно з оксидом кремнію при експозиціях у молекулярному кисні, більших за <$E 10 sup 6> Л. Існування оксидів стибію в його субмоношарових покриттях на поверхні Si(001) узгоджується з результатами попередніх квантово-хімічних розрахунків. Ключ. слова: адсорбція, окиснення, стибій, кремній, іонізаційна спектроскопія Індекс рубрикатора НБУВ: К663.7-18 + Г583.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|