Розглянуто природу вибухових шумів (ВШ) у зворотно зміщених кремнієвих фотодіодах (КФД). Показано, що наявність ВШ у КФД пов'язано з підвищеною густиною дислокацій і точкових дефектів в області p - n переходу та концентрацією легувальної домішки. Одним із основних джерел генерації ВШ є поверхні кристала фотодіода.

Ключ. слова: фотодіод, кремній, вибуховий шум, дислокації, темновий струм
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Добровольський Юрій Георгійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"