Досліджено зразки кремнію n-типу провідності, вирощеного за допомогою методу Чохральського (Cz-Si), із домішкою германію (<$E N sub roman Ge~=~2~cdot~10 sup 20~roman см sup -3>) і без неї після опромінювання швидкими нейтронами реактора. Вивчено відпал <$E n- roman {Si symbol ... Ge symbol ъ}> після опромінювання флюенсом <$E 1,4~cdot~10 sup 14> нейтр./<$E roman см sup 2> за трьох температур. Показано, що відпал кластерів дефектів (ВКД) пов'язаний із анігіляцією дефектів вакансійного типу у кластерах із міжвузловинними дефектами. Розглянуто ВКД у нейтронно-опромінених зразках Cz-Si n-типу під дією <$E gamma>-квантів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)
• Долголенко Олександр Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"