Изучено влияние механических повреждений подложки CdTe на структуру и состав зарождающихся слоев CdHgTe в начальных стадиях эпитаксиального роста. Обнаружено преимущественное образование зародышей CdHgTe на механически поврежденных участках подложки. Показано, что прилегающие к ним участки зарождающегося эпитаксиального слоя обогащены Hg. Обсуждены возможные механизмы этих явлений, а также причины потери фоточувствительности и разброса функциональных параметров в таких структурах за счет наличия обогащенных Hg узкозонных областей.

• Власенко Зоя Костянтинівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"