Миленин В. В. Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs / В. В. Миленин, Р. А. Редько, С. Н. Редько // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2006. - 49, № 9-10, [ч. 1]. - С. 77-80. - Библиогр.: 12 назв. - рус.Изучено влияние мощного кратковременного СВЧ излучения (f = 2,45 ГГц) на дефектные состояния монокристаллов GaAs с помощью исследований спектров люминесценции в области 0,6 - 2,5 мкм при 77 К. Обнаружено, что СВЧ обработка влияет на люминесцентные характеристики кристаллов вследствие изменения концентрации центров излучательной и безызлучательной рекомбинации. Результаты выполненных исследований показывают перспективность использования микроволнового излучения в технологических процессах для модификации примесно-дефектной подсистемы полупроводникового материала. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|