В рамках классической теории рассеяния исследована осевая теневая картина в кристалле, содержащем прямолинейные дислокации, в случае, когда характерный размер корреляции искажений в кристалле оказывается значительно большим расстояния, на котором формируется теневая картина. Величина минимального выхода частиц, рассеянных искаженной цепочкой атомов при не слишком больших деформациях, оказывается пропорциональной плотности дислокаций и является функцией углов, определяющих ориентацию направления наблюдения теневой картины относительно оси дислокации и вектора Бюргерса, причем угловые зависимости для винтовых и краевых дислокаций существенно различаются. Это обстоятельство позволяет использовать теневой эффект для диагностики дислокационной структуры в кристаллах.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"