За допомогою методів рентгеноструктурного, резистивного та магнітного аналізу досліджено керамічні зразки <$E {roman La} sub 1-x sup 3+ {roman Sr} sub x sup 2+ roman MnO sub 3 sup 2-> (x = 0; 0,1; 0,15; 0,2; 0,3; 0,4), спечені за різних температур (1150, 1200, 1350 і 1500 <$E symbol Р>C). Установлено, що із зростанням вмісту <$E roman Sr sup 2+> у <$E {roman La} sub 1-x {roman Sr} sub x roman MnO sub {3~symbol С~delta}> (х = 0 - 0,4) зменшуються параметр кристалічної гратки (а) і ступені її ромбоедричного (<$E R 3 Bar с>) викривлення (<$E alpha>). Температури фазових переходів метал - напівпровідник (<$E T sub roman ms>), феромагнетик - парамагнетик (<$E T sub roman c>), пік магніторезистивності (<$E T sub roman p>) підвищуються, а енергія активації (<$E E sub roman a>) зменшується. При цьому зростають дефектність гратки, яка містить аніонні (<$E V sup roman (a)>) та катіонні (в A- та B-позиціях) вакансії, усереднена валентність мангану й фактор толерантності (t). Показано, що зарядова компенсація при допіюванні <$E roman Sr sup 2+> відбувається за двома механізмами: перший - через перехід <$E roman {Mn sup 3+~ symbol О~Mn sup 4+}> (близько 80 %), другий - через утворення <$E V sup roman (a)> (близько 20 %), причому вклад другого механізму зростає за умов підвищення температури спікання. Із підвищенням х зменшується магніторезистивний ефект при <$E T sub roman p> і слабо зростає низькопольовий тунельний магніторезистивний ефект.

Установлено протилежний характер концентраційних залежностей внутрішньокристалічного пікового магніторезистивного ефекту при <$E T sub roman p> та міжкристалічного магніторезистивного ефекту в напівпровідниковій області у разі <$E T~<< <<~T sub roman p>.

Індекс рубрикатора НБУВ: К390.45-18

Рубрики:

Гаряче пресування. Спікання металевих порошків і металокерамічних сумішей

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"