Дослідження вольт-амперних характеристик поруватого кремнію (ПК) засвідчили наявність на поверхні вбудованого просторового заряду, величина якого суттєво залежала від технологічних умов формування ПК і його параметрів: товщини, поруватості та ступеня окиснення поверхні. Виявлено зв'язок між спектрами фотолюмінесценції ПК і його термоелектретними властивостями. Досліджено вплив електричного поля на інтенсивність і спектральне положення максимуму смуги фотолюмінесценції шарів ПК. Аналіз спектрів фотолюмінесценції свідчив про прояв декількох механізмів рекомбінації носіїв заряду в ПК. Створено модель світловипромінювання ПК, яка підтверджується результатами досліджень фотолюмінесценції.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"