Большакова І. А. Вплив електронного опромінення на мікрокристали InSb та InAs / І. А. Большакова, В. Н. Брудний, Д. М. Заячук, О. Ю. Макідо, В. Т. Маслюк, І. Г. Мегела, Т. А. Московець, Ф. М. Шуригін // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 2. - С. 198-202. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Досліджено вплив дії електронного опромінювання на мікрокристали InSb та InAs, вирощених за допомогою методу хімічних транспортних реакцій, які характеризуються високою структурною досконалістю та низькою густиною дислокацій і можуть використовуватися для виготовлення на їх основі датчиків магнітного поля для екстремальних умов експлуатації. Досліджено концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду під дією електронного опромінювання, обговорено особливості поведінки цих матеріалів після опромінювання їх високоенергетичними частинками. Ключ. слова: мікрокристали, сенсори магнітного поля, радіаційні дефекти, опромінення електронами, концентрація носіїв заряду Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|